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100V耐压MOS管60A APG095N01G(图片 参数 封装)

​APG095N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS管,丝印G095N01G,采用PDFN5*6-8L,包装方式为编带,数量5000个,漏源电压(Vdss)100V,连续漏极电流(Id)60A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.2mΩ@10V,20A,欢迎来电咨询价格。

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APG095N01G是铨力半导体一款N沟道增强型MOS管,丝印G095N01G,采用PDFN5*6-8L,包装方式为编带,数量5000个,漏源电压(Vdss)100V,连续漏极电流(Id)60A,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.2mΩ@10V,20A,欢迎来电咨询价格。

N沟道增强型mos管APG095N01G规格参数表;

APG095N01G规格参数表

100V耐压MOS管APG095N01G封装尺寸信息;

APG095N01G封装尺寸信息